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质料
半导体单晶
公布工夫 : 2015-10-19 阅读次数 : 1591

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Crystal Doping Type Carrier Concentr
[cm-3]
EPD
[cm-2]
Growth Technique &
Diameter
Info
GaAs
砷化镓单晶
None
Si
Cr
Te
Zn
SI
N
SI
N
P
/
1017 ... 1019
/
1017 ... 1019
1017 ... 1019
< 1x105 CZ, LEC &
HB
ø3"
GaP
磷化镓单晶
S
Te
Zn
N
N
P
1017 ... 3x1018
1017 ... 3x1018
1017 ... 5x1018
< 105 CZ & LEC
ø50mm
GaSb
锑化镓单晶
None
Zn
Te
Hi-R
Hi-R
P
P+
N
P
N
2x1016
1-5x1018
2-6x1017
1-5x1016
1-5x1016
< 103 CZ & LEC
ø3"
Ge
锗单晶
None
Sb
P
N
< 5x103 CZ/Br
ø1" - ø4"
InAs
砷化铟单晶
None N 1-2x1016 < 5x104

LEC
ø30mm

InP
磷化铟单晶
None
Sn
S
Fe
Zn
N
N
N
SI
P
1-2x1016
1-3x1018
1-4x1018
/
0.6-4x1018
< 5x104 LEC
ø2"
Si
硅单晶
None
B
As
P
Sb

P
N
N
N
CZ/FZ
ø2" - ø6"
CdS
硫化镉单晶
None Markov
ø2"
CdSe
硒化镉单晶
None Markov
ø2"
CdTe
碲化镉单晶
None Br
ZnS
硫化锌单晶
None Markov
ø30mm
ZnSe
硒化锌单晶
None Markov
ø30mm
ZnTe
碲化锌单晶
None Markov
ø30mm

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